Dokument: Growth and Characterization of thin Al2O3 and Ga2O3 Films on Single-Crystalline Ni, Co, and CoGa Substrates

Titel:	Growth and Characterization of thin Al2O3 and Ga2O3 Films on Single-Crystalline Ni, Co, and CoGa Substrates
URL für Lesezeichen:	https://docserv.uni-duesseldorf.de/servlets/DocumentServlet?id=2801
URN (NBN):	urn:nbn:de:hbz:061-20040421-000801-3
Kollektion:	Dissertationen
Sprache:	Englisch
Dokumententyp:	Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Medientyp:	Text
Autor:	Wehner, Arno [Autor]
Dateien:	[Dateien anzeigen] Adobe PDF [Details] 3,82 MB in einer Datei [ZIP-Datei erzeugen] Dateien vom 09.02.2007 / geändert 09.02.2007
Beitragende:	Prof. Dr. Franchy, René [Gutachter] Prof. Dr. Schierbaum, Klaus [Gutachter]
Stichwörter:	Aluminiumoxid, Galliumoxid, STM, EELS, LEED, AES, Nickel, Kobalt, TunnelbarriereAlumina, tunneling barrier, Cobalt, thin films
Dewey Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik » 530 Physik
Beschreibung:	Auf den Substraten Ni(100) und Co(0001) wurden dünne Aluminiumoxidfilme präpariert. Dazu wurden zunächst jeweils Aluminiumfilme bei Raumtemperatur deponiert und durch Tempern die Erzeugung einer Oberflächenlegierung induziert. Durch Oxidation der Oberflächenlegierungen bei Raumtemperatur entstand jeweils Aluminiumoxid, das nach Tempern in die gamma'-Phase übergeht. Durch Deposition von Al in Sauerstoffatmosphäre konnten ebenfalls dünne Aluminiumoxidfilme präpariert werden, die nach Tempern wiederum in die gamma'-Phase übergehen. Zusätzlich wurden I(V)-Kurven des Systems beta-Ga2O3/CoGa(100) vermessen. Mithilfe dieser Kurven konnte das isolierende Verhalten dieser Galliumoxidschichten nachgewiesen werden.
Lizenz:	Urheberrechtsschutz
Fachbereich / Einrichtung:	Mathematisch- Naturwissenschaftliche Fakultät » WE Physik
Dokument erstellt am:	21.04.2004
Dateien geändert am:	12.02.2007
Promotionsantrag am:	30.01.2004
Datum der Promotion:	30.01.2004