Dokument: Wachstum von ultradünnen Oxid- (Ga2O3) und Metallschichten (Fe, Ga) auf GaAs und CoGa

Titel:Wachstum von ultradünnen Oxid- (Ga2O3) und Metallschichten (Fe, Ga) auf GaAs und CoGa
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URN (NBN):urn:nbn:de:hbz:061-20030623-000545-6
Kollektion:Dissertationen
Sprache:Deutsch
Dokumententyp:Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Medientyp:Text
Autor: Kovacs, Domocos Adolf [Autor]
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Dateien vom 09.02.2007 / geändert 09.02.2007
Beitragende:Prof. Dr. Franchy, René [Gutachter]
Prof. Dr. Schierbaum, Klaus [Gutachter]
Stichwörter:Wachstum, Struktur, Morphologie, dünne Eisenschichten, dünne Galliumoxidschichten, Streuung thermischer Heliumatome, LEED, AES, CoGa(100), GaAs(100)
Dewey Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik » 530 Physik
Beschreibung:In der vorliegenden Arbeit wurde das Wachstum von dünnen Metall- (Fe, Ga) und Oxidschichten (Ga2O3) mittels Streuung thermischer Heliumatome (TEAS), Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und Augerelektronenspektroskopie (AES) untersucht. Als Ausgangssubstrate wurden die einkristallinen (100)-Oberflächen von CoGa und GaAs verwendet. Untersucht wurden auch elementaren Schritte zur Präparation des TMR-Modellsystems Fe/Ga(2)O(3)/Fe(3)Ga(2-x)As(x) auf der GaAs(100)-Oberfläche sowie des Schichtsystems Fe/beta-Ga(2)O(3) auf der CoGa(100)-Oberfläche. Dabei wurden das Wachstumsverhalten, die Oberflächenstruktur und -morphologie, und die thermische Stabilität der einzelnen Schichten untersucht. Ergänzend sind am Schichtsystem Fe/CoGa(100) auch magneto-optische Kerr-Effekt (MOKE) ?Messungen durchgeführt worden. Zusätzliche Informationen über das Wachstumsverhalten und die Morphologie der einzelnen Schichten des Schichtsystems Fe/beta-Ga(2)O(3)/CoGa(100) konnten mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) gewonnen werden.
Lizenz:In Copyright
Urheberrechtsschutz
Fachbereich / Einrichtung:Mathematisch- Naturwissenschaftliche Fakultät » WE Physik
Dokument erstellt am:23.06.2003
Dateien geändert am:12.02.2007
Promotionsantrag am:20.05.2003
Datum der Promotion:20.05.2003
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