Dokument: Erzeugung und Charakterisierung von
SiO2-Nanostrukturen auf Si

Titel:Erzeugung und Charakterisierung von
SiO2-Nanostrukturen auf Si
URL für Lesezeichen:https://docserv.uni-duesseldorf.de/servlets/DocumentServlet?id=2108
URN (NBN):urn:nbn:de:hbz:061-20011119-000108-6
Kollektion:Dissertationen
Sprache:Deutsch
Dokumententyp:Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Medientyp:Text
Autor: Bloeß, Harald [Autor]
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Dateien vom 09.02.2007 / geändert 09.02.2007
Beitragende:Prof. Dr. Schultze, Joachim Walter [Gutachter]
Prof. Dr. Staikov, Georgi [Gutachter]
Stichwörter:Silizium, Siliziumdioxid, Nanostrukturierung, Elektrochemie,Kinetik, AFM, Oberflächenanalytik
Dewey Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik » 540 Chemie
Beschreibung:Die elektrochemische Herstellung isolierender Nanostrukturen wurde am
Beispiel des Systems Si/SiO2/H2O untersucht. Sie kann in der Nanozelle,
der kleinsten elektrochemischen Zweielektrodenzelle, realisiert werden,
aber nicht unter semiinfiniten Bedingungen. Die erzeugten, im Profil
gaußähnlichen Nanostrukturen hatten eine minimale Halbwertsbreite von 10
nm und eine maximale Höhe von 8 nm, die sich durch die maximale
Oxidationsspannung von 10 V ergab. Als wichtige Voraussetzung der
Nanostrukturierung in multiplen Verfahrensschritten wurde die
Ortskorrelation von Mikro- und Nanobereich hergestellt. Die
reproduzierbare Messung der Stromtransienten im Nanometerbereich zur
Klärung der Kinetik gelingt mit oszillierender AFM-Spitze als
Gegenelektrode. Der Schwerpunkt bei der Nanostrukturierung von Si lag bei
der Klärung der Kinetik und des Wasserhaushalts der lokalen Oxidation
unter Berücksichtigung der Besonderheiten der Nanozelle. Als Ergebnis
ergibt sich eine quantitative Beschreibung der lokalen Oxidation in der
Nanozelle.
Lizenz:In Copyright
Urheberrechtsschutz
Fachbereich / Einrichtung:Mathematisch- Naturwissenschaftliche Fakultät » WE Chemie
Dokument erstellt am:19.11.2001
Dateien geändert am:12.02.2007
Promotionsantrag am:19.11.2001
Datum der Promotion:19.11.2001
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